收藏本站
Si9433BDY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.15
0.12
0.09
0.06
V GS = 2.7 V
1500
1200
900
600
C iss
0.03
V GS = 4.5 V
300
C oss
C rss
0.00
0
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
6
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
5
V DS = 6 V
I D = 6.2 A
1.4
V GS = 4.5 V
I D = 6.2 A
4
1.2
3
1.0
2
1
0
0.8
0.6
0
2
4
6
8
10
12
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.15
0.12
0.09
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 6.2 A
1
0.06
0.03
0.1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72755
S09-0870-Rev. B, 18-May-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI9933CDY-T1-E3 MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
SIA406DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 12V SC-70-6
SIA421DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
SIA432DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
SIA443DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6
SIA448DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V D-S SC70-6L
SIA461DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 12A SC706L
SIA511DJ-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 12V PWRPAK SC70-6
相关代理商/技术参数
SI9433DY 功能描述:MOSFET 20V 5.4A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI9433DYT1 制造商:SILICONIX 功能描述:*
SI9433DY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
SI9433DY-T1-E3 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
SI9434BDY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI9434BDY-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 6.3A 2.5W 40mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI9434BDY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 6.3A 2.5W 40mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI9434DY 功能描述:MOSFET 20V 6.4A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube